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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF11N40C | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF11N40C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 400V，10.5A，530mΩ |
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| FQPF11N40C_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF11N40CT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 mΠ|
|
| FQPF11N40CYDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FQPF11N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF11N50CF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，11 A，550 mΩ，TO-220 |
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| FQPF11N50CF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQPF11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQPF11P06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-8.6 A，175 mΩ，TO-2 |
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