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FP10R06KL4_B3

更新时间： 2024-01-06 02:36:04
品牌 Logo 应用领域
EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 323K
描述
IGBT-modules

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FP10R06KL4_B3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X20元件数量：6
端子数量：20最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：260 ns
标称接通时间 (ton)：60 nsVCEsat-Max：2.55 V
Base Number Matches：1

FP10R06KL4_B3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP10R06KL4_B3  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
600  
10  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
20  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
12,0  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,85 2,25  
1,90  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 600 A/µs  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
11,0  
12,0  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 600 A/µs  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,80  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 600 A/µs  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,05  
0,12  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
3,50 3,95 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
1,10  
K/W  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒç¢»¢  
I碻¢  
IŒ»¢  
800  
25  
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.  
T† = 80°C  
forward current RMS maximum per diode  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
T† = 80°C  
25  
maximum RMS current at Rectifier output  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
305  
245  
A
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
465  
300  
A²s  
A²s  
I²t  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Durchlassspannung  
TÝÎ = 150°C, IŒ = 10 A  
forward voltage  
min. typ. max.  
0,80  
VŒ  
VÅ¥  
rÅ  
V
V
Schleusenspannung  
TÝÎ = 150°C  
0,63  
18,0  
0,10  
threshold voltage  
Ersatzwiderstand  
TÝÎ = 150°C  
m  
mA  
slope resistance  
Sperrstrom  
TÝÎ = 150°C, Vç = 800 V  
reverse current  
Iç  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,45 1,60 K/W  
0,60 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2005-6-16  
revision: 3.1  
2
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FP10R06KL4B3BOMA1 INFINEON

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