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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23 | 针数： | 23 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.02 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X23 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 23 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 68 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 260 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 26 ns | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FP10R06W1E3BOMA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 |
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| FP10R06YE3 | EUPEC | IGBT-modules |
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| FP10R06YE3_B4 | EUPEC | IGBT-modules |
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| FP10R12KE3 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 |
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| FP10R12NT3 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPIM-23 |
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| FP10R12W1T3 | EUPEC | IGBT-modules |
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