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FP10R12KE3

更新时间： 2024-01-14 08:38:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 218K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23

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FP10R12KE3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23针数：23
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.11外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X23元件数量：7
端子数量：23最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：481 ns
标称接通时间 (ton)：80 nsVCEsat-Max：2.45 V
Base Number Matches：1

FP10R12KE3 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FP10R12KE3  
Vorläufig  
Preliminary  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
Tvj =25°C  
VRRM  
1600  
25  
V
A
repetitive peak reverse voltage  
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip  
T
T
C =80°C  
C =80°C  
IFRMSM  
RMS forward current per chip  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
maximum RMS current at Rectifier output  
IRMSmax  
IFSM  
36  
A
t
t
t
P = 10 ms, Tvj  
P = 10 ms, Tvj = 150°C  
P = 10 ms, Tvj 25°C  
=
25°C  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
196  
158  
192  
125  
A
A
I2t  
A2s  
A2s  
=
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
Tvj =25°C  
VCES  
1200  
V
T
C = 80°C  
IC,nom.  
IC  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
10  
15  
A
A
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t
P = 1 ms,  
TC =80°C  
ICRM  
Ptot  
20  
55  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T
C = 25°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
IFRM  
I2t  
10  
20  
20  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
t
P = 1 ms  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
Tvj =25°C  
VCES  
1200  
V
T
C = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
10  
15  
A
A
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
Ptot  
20  
55  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
10  
20  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
prepared by: Thomas Passe  
approved by: Ingo Graf  
date of publication: 2002-02-14  
revision: 6  
1(12)  
1234567...13

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