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FP10R06KL4_B3

更新时间： 2024-02-10 04:28:01
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 323K
描述
IGBT-modules

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FP10R06KL4_B3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X20元件数量：6
端子数量：20最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：260 ns
标称接通时间 (ton)：60 nsVCEsat-Max：2.55 V
Base Number Matches：1

FP10R06KL4_B3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP10R06KL4_B3  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ™ = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 10 A, V†Š = 300 V  
1,0  
10  
0,9  
0,8  
0,7  
0,6  
0,5  
0,4  
0,3  
0,2  
0,1  
0,0  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ™ : IGBT  
1
i:  
rÍ[K/W]: 0,158 0,306 0,945 0,791  
0,0005 0,005 0,05 0,2  
1
2
3
4
τÍ[s]:  
0,1  
0,001  
80  
100  
120  
140  
R• [Â]  
160  
180  
200  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 82 Â, TÝÎ = 125°C  
24  
20  
16  
12  
8
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
6
4
4
I†, Modul  
I†, Chip  
2
0
0
0
100  
200  
300 400  
V†Š [V]  
500  
600  
700  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2005-6-16  
revision: 3.1  
6
1...345678910

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与FP10R06KL4_B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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