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FP10R06KL4B3V6

更新时间： 2022-01-19 05:56:00
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其他 - ETC 双极性晶体管
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描述
IGBT Module

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FP10R06KL4B3  
Vorläufig  
Preliminary  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
Tvj =25°C  
VRRM  
800  
V
repetitive peak reverse voltage  
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip  
TC =80°C  
IFRMSM  
23  
36  
A
A
RMS forward current per chip  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
TC =80°C  
IRMSmax  
IFSM  
maximum RMS current at Rectifier output  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
197  
158  
194  
125  
A
A
I2t  
A2s  
A2s  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
Tvj =25°C  
VCES  
600  
V
TC =80°C  
TC = 25 °C  
IC,nom.  
IC  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
10  
15  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms,  
TC = 25°C  
TC =80°C  
ICRM  
Ptot  
20  
55  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
10  
20  
12  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
I2t  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
prepared by: Thomas Passe  
approved by: Ingo Graf  
date of publication: 2002-02-15  
revision: 6  
1(11)  
1234567...11

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