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FP10R12YT3_B4

更新时间： 2024-02-26 23:31:41
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
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11页 362K
描述
IGBT-modules

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FP10R12YT3_B4 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23针数：23
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.08Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：1200 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X23
元件数量：1端子数量：23
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散 (Abs)：69.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
VCEsat-Max：2.45 VBase Number Matches：1

FP10R12YT3_B4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP10R12YT3_B4  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
10  
16  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
69,5  
+/-20  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 10 A, V•Š = 15 V  
I† = 10 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,90 2,45  
2,15  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
0,10  
0,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
0,70  
0,026  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 10 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 82 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,045  
0,045  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 10 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 82 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,02  
0,025  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 10 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 82 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,29  
0,39  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 10 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 82 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,09  
0,15  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 10 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓÒ = 82 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,95  
1,35  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 10 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓËË = 82 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,67  
1,05  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
35  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,60 1,80 K/W  
0,55 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2005-6-15  
revision: 2.0  
1
1234567...11

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与FP10R12YT3_B4相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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