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FP10R06KL4_B3

更新时间： 2024-02-06 00:31:32
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 323K
描述
IGBT-modules

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FP10R06KL4_B3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X20元件数量：6
端子数量：20最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：260 ns
标称接通时间 (ton)：60 nsVCEsat-Max：2.55 V
Base Number Matches：1

FP10R06KL4_B3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP10R06KL4_B3  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
20  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
18  
16  
14  
12  
10  
8
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20 V  
V•Š = 15 V  
V•Š = 12 V  
V•Š = 10 V  
V•Š = 9 V  
V•Š = 8 V  
6
6
4
4
2
2
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5 2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 82 Â, R•ÓËË = 82 Â, V†Š = 300 V  
20  
1,2  
18  
16  
14  
12  
10  
8
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
1,0  
0,8  
0,6  
0,4  
0,2  
0,0  
6
4
2
0
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
I† [A]  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2005-6-16  
revision: 3.1  
5
12345678...10

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与FP10R06KL4_B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FP10R06KL4B3BOMA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20
FP10R06KL4B3V6 ETC

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