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FMMT619-TP-HF PDF预览

FMMT619-TP-HF

更新时间： 2024-11-19 14:33:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 240K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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FMMT619-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FMMT619-TP-HF 数据手册

 浏览型号FMMT619-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
FMMT619  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Power dissipation: PCM=0.625W(Tamb=25?)  
NPN Silicon Planar  
High Performance  
Transistor  
•
•
Thermal Resistance from Junction to Ambient 357 oC/W  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
x
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking:619  
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
50  
50  
5.0  
2.0  
Unit  
V
V
V
A
SOT-23  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
A
D
C
Collector Current,  
PC  
Power Dissipation at Tamb=25R  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
350  
mW  
B
C
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
R
R
TSTG  
E
B
F
E
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
H
G
J
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc, IE=0Vdc)  
50  
50  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
K
DIMENSIONS  
---  
Vdc  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
Vdc  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
(IC=1Adc, IB=10mAdc)  
(IC=2Adc, IB=100mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
F
---  
---  
---  
0.02  
0.2  
0.22  
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.015  
.085  
.37  
VBE(sat)  
VBE(ON)  
hFE  
K
---  
---  
1.0  
1.0  
Vdc  
Vdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
(VCE=2Vdc, IC=2Adc)  
DC Current Gain  
(VCE=2Vdc, IC=10mAdc)  
(VCE=2Vdc, IC=200mAdc)  
(VCE=2Vdc, IC=1Adc)  
(VCE=2Vdc, IC=2Adc)  
(VCE=2Vdc, IC=6Adc)  
200  
300  
200  
100  
---  
---  
---  
---  
---  
40(typ)  
.031  
.800  
---  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
fT  
Transition Frequency  
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz)  
100  
---  
MHz  
t(on)  
t(off)  
Turn-on time  
Turn-off time  
(VCC=10Vdc, IC=1Adc, IB1=-IB2=10mAdc)  
170(typ)  
750(typ)  
ns  
ns  
.037  
.950  
Cob  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz)  
---  
20  
pF  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2014/03/18  
1 of 2  
12

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