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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 10 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.625 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 135 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMMT625Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 150V, 1A, SOT23 |
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| FMMT625QTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| FMMT625TA | DIODES |
获取价格 |
150V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
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| FMMT625TA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| FMMT625TC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| FMMT634 | TYSEMI |
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625mW power dissipation, Highest current capability SOT23 darlington |
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| FMMT634 | KEXIN |
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Power Darlington Transistor |
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| FMMT634 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| FMMT634 | DIODES |
获取价格 |
“SuperSOT” SOT23 NPN SILICON POWER DARLINGTON |
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| FMMT634Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 100V, 0.9A, SOT23 |
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