是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.32 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC): | 1.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.806 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 160 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FMMT620TA | DIODES |
功能相似 |
80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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Collector current:IC=1A, Power dissipation :PC=625mW | |
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FMMT625 | DIODES |
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