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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT6517
FMMT6517 PDF预览

FMMT6517

更新时间： 2024-11-18 12:20:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR

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FMMT6517 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.21Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

FMMT6517 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FMMT6517  
ISSUE 3 – NOVEMBER 1995  
✪
FEATURES  
*
*
350 Volt VCEO  
E
Gain of 15 at IC=100mA  
C
APPLICATIONS  
SUITABLE FOR AMPLIFIER AND SWITCHING PRODUCTS  
B
*
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FMMT6520  
517  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
350  
350  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb= 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
500  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
IC=100µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0*  
IE=10µA, IC=0  
VCB=250V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
350  
350  
5
V
V
Cut-Off Currents  
50  
50  
nA  
nA  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.3  
0.35  
0.5  
1.0  
V
V
V
V
IC=10mA, IB=1mA*  
IC=20mA, IB=2mA*  
IC=30mA, IB=3mA*  
IC=50mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
0.80  
0.85  
0.90  
V
V
V
IC=10mA, IB=1mA*  
IC=20mA, IB=2mA*  
IC=30mA, IB=3mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
VBE(on)  
hFE  
2.0  
V
IC=100mA, VCE=10V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
20  
30  
30  
20  
15  
IC=1mA, VCE=10V  
IC=10mA, VCE=10V*  
IC=30mA, VCE=10V*  
IC=50mA, VCE=10V*  
IC=100mA, VCE=10V*  
200  
200  
Output Capacitance  
Transition Frequency  
Cobo  
fT  
6
pF  
VCB=20V, f=1MHz  
50  
MHz  
IC=10mA, VCE=20V, f=20MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3 - 171  
1

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