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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT6520TC
FMMT6520TC PDF预览

FMMT6520TC

更新时间： 2024-11-14 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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FMMT6520TC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.33
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

FMMT6520TC 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FMMT6520  
ISSUE 2 - NOVEMBER 1995  
✪
FEATURES  
*
*
350 Volt VCEO  
E
Gain of 15 at IC=-100mA  
C
APPLICATIONS  
SUITABLE FOR AMPLIFIER AND SWITCHING PRODUCTS  
B
*
COMPLEMENTARY TYPE FMMT6517  
PARTMARKING DETAIL – 520  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-350  
-350  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb= 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
-500  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
IC=-100µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0*  
IE=-10µA, IC=0  
VCB=-250V, IE=0  
VEB=-3V, IC=0  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-350  
-350  
-5  
V
V
Cut-Off Currents  
-50  
-50  
nA  
nA  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.3  
-0.35  
-0.5  
-1.0  
V
V
V
V
IC=-10mA, IB=-1mA*  
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-30mA, IB=-3mA*  
IC=-50mA, IB=-5mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.75  
-0.85  
-0.90  
V
V
V
IC=-10mA, IB=-1mA*  
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-30mA, IB=-3mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
VBE(on)  
hFE  
-2.0  
V
IC=-100mA, VCE=-10V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
20  
30  
30  
20  
15  
IC=-1mA, VCE=-10V  
IC=-10mA, VCE=-10V*  
IC=-30mA, VCE=-10V*  
IC=-50mA, VCE=-10V*  
IC=-100mA, VCE=-10V*  
200  
200  
Output Capacitance  
Transition Frequency  
Cobo  
fT  
6
pF  
VCB=20V, f=1MHz  
50  
MHz  
IC=-10mA, VCE=-20V,  
f=20MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3 - 172  
1

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