5秒后页面跳转
FMMT717 PDF预览

FMMT717

更新时间: 2024-09-24 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 357K
描述
SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS

FMMT717 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.31
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):2.5 A
基于收集器的最大容量:30 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):45
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:0.625 W
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHzVCEsat-Max:0.22 V
Base Number Matches:1

FMMT717 数据手册

 浏览型号FMMT717的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMMT717的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FMMT717的Datasheet PDF文件第4页 
SuperSOT  
FMMT717 FMMT718  
FMMT720 FMMT722  
FMMT723  
SOT23 PNP SILICON POWER  
(SWITCHING) TRANSISTORS  
ISSUE 3 JUNE 1996  
FEATURES  
* 625mW POWER DISSIPATION  
*
*
*
*
*
IC CONT 2.5A  
E
C
IC Up To 10A Peak Pulse Current  
Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed)  
Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ.  
Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)  
B
DEVICE TYPE  
FMMT717  
FMMT718  
FMMT720  
FMMT722  
FMMT723  
COMPLEMENT  
FMMT617  
FMMT618  
FMMT619  
–
PARTMARKING  
RCE(sat)  
717  
718  
720  
722  
723  
72mat 2.5A  
97mat 1.5A  
163mat 1.5A  
-
-
FMMT624  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
FMMT FMMT FMMT FMMT FMMT  
PARAMETER  
SYMBOL  
717  
-12  
-12  
-5  
718  
-20  
-20  
-5  
720  
722  
-70  
-70  
-5  
723  
-100  
-100  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
IC  
-40  
-40  
V
-5  
V
-10  
-2.5  
-6  
-4  
-3  
-2.5  
-1  
A
-1.5  
-1.5  
-1.5  
A
IB  
-500  
625  
-55 to +150  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C* Ptot  
Operating and Storage  
Temperature Range  
Tj:Tstg  
*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic  
substrate measuring 15x15x0.6mm  
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for these devices  
3 - 159  

与FMMT717相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT717_12 DIODES

获取价格

12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT717-7 DIODES

获取价格

Transistor
FMMT717Q DIODES

获取价格

PNP, 12V, 2.5A, SOT23
FMMT717QTA DIODES

获取价格

12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT717TA DIODES

获取价格

12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT717TC ZETEX

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
FMMT718 TYSEMI

获取价格

625mW power dissipation, Extremely low saturation voltage e.g. 10mV typ
FMMT718 ZETEX

获取价格

SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT718 DIODES

获取价格

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
FMMT718 KEXIN

获取价格

Switching Transistor