是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 2.5 A |
基于收集器的最大容量: | 30 pF | 集电极-发射极最大电压: | 12 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 45 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 0.625 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.625 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 110 MHz | VCEsat-Max: | 0.22 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FMMT717_12 | DIODES |
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12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 | |
FMMT717-7 | DIODES |
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Transistor | |
FMMT717Q | DIODES |
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PNP, 12V, 2.5A, SOT23 | |
FMMT717QTA | DIODES |
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12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 | |
FMMT717TA | DIODES |
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12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 | |
FMMT717TC | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, | |
FMMT718 | TYSEMI |
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625mW power dissipation, Extremely low saturation voltage e.g. 10mV typ | |
FMMT718 | ZETEX |
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SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS | |
FMMT718 | DIODES |
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SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR | |
FMMT718 | KEXIN |
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Switching Transistor |