FMMT634QTA

更新时间： 2024-01-10 09:24:03

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
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3页	108K
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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FMMT634QTA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	0.9 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	15000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FMMT634QTA 数据手册

“SuperSOT” SOT23 NPN SILICON

POWER DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 1 – APRIL 97

FMMT634

FEATURES

625mW POWER DISSIPATION

Highest current capability SOT23 Darlington

Very high hFE - specified at 2A (5K m inim um )

- typically 600 at 5A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMT734

PARTMARKING DETAIL – 634

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

120

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

100

Pe ak Pu ls e Cu rre n t

900

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Power Dissipation

I_C

m A

°C

P_tot

625

Op eratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

* Maxim um power dissipation is calculated assum ing that the device is m ounted on a ceram ic

substrate m easuring 15x15x0.6m m .

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%.

12 3

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FMMT634QTA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FMMT634TA	DIODES	类似代替	100V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT634TA	DIODES	获取价格	100V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23
FMMT634TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMT634TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMT634TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMT6517	DIODES	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR
FMMT6517	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT6517TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
FMMT6517TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT6517TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT6520	DIODES	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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