FMMT634

更新时间： 2024-11-19 22:48:59

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管
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3页	107K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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FMMT634 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.27	最大集电极电流 (IC)：	0.9 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	15000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

FMMT634 数据手册

“SuperSOT” SOT23 NPN SILICON

POWER DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 1 – APRIL 97

FMMT634

FEATURES

625mW POWER DISSIPATION

Highest current capability SOT23 Darlington

Very high hFE - specified at 2A (5K m inim um )

- typically 600 at 5A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMT734

PARTMARKING DETAIL – 634

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

120

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

100

Pe ak Pu ls e Cu rre n t

900

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Power Dissipation

I_C

m A

°C

P_tot

625

Op eratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

* Maxim um power dissipation is calculated assum ing that the device is m ounted on a ceram ic

substrate m easuring 15x15x0.6m m .

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%.

12 3

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与FMMT634相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT634Q	DIODES	获取价格	NPN, 100V, 0.9A, SOT23
FMMT634QTA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
FMMT634TA	DIODES	获取价格	100V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23
FMMT634TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMT634TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMT634TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMT6517	DIODES	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR
FMMT6517	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT6517TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
FMMT6517TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon