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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 33 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T5 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FMM65-015P | IXYS | Trench Power MOSFET |
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| FMM6G20US60 | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM6G20US60S | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM6G30US60 | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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| FMM6G50US60 | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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| FMM6N0103J02L | KYOCERA AVX | DC Filtering MPF Capacitor |
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