FMMD2835

更新时间： 2024-11-10 22:48:59

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SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON ANODE DIODE PAIR

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FMMD2835 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.41	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
最大反向恢复时间：	0.006 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

FMMD2835 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED

FMMD2835

SWITCHING COMMON ANODE DIODE PAIR

ISSUE 1 FEBRUARY 1995

DIODE PIN CONNECTION

PARTMARKING DETAIL A9

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)

VALUE

UNIT

Breakdown Voltage Voltage (I_R=100µA)

Average Rectified Forward Current ✝

Repetitive Peak Forward Surge Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_F(AV)

100

°C

I_FRM

200

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Forward Voltage

V_F

1.0

1.2

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=100mA

Reverse Current

Recovery Time*

I_R

100

V_R=50V

t_rr

I_F= I_R=10mA, I_R(REC)

=1.0mA

Diode Capacitance

C_d

V_R=1V, f=1MHz

*For switching test circuit diagram see page

✝Over any 20ms period

Spice parameter data is available upon request for this device

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