FMM60-02TF

更新时间： 2024-01-12 11:02:04

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
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2页	95K
描述
Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET

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FMM60-02TF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A
最大漏极电流 (ID)：	33 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
JESD-609代码：	e1	元件数量：	2
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FMM60-02TF 数据手册

FMM60-02TF

ISOPLUS i4-Pak^TMOutline

Symbol

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Test Conditions²

Characteristic Values

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

200

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0V

2.5

4.5

± 200 nA

μA

250 μA

40 mΩ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

g_fs

V_GS= 10V, I_D= 30A, Note 1

V_DS= 10V, I_D= 60A, Note 1

C_iss

C_oss

C_rss

3700

V_GS= 0V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

520

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 30A

R_G= 5Ω (External)

Q_g(on)

Q_gs

V_GS= 10V, V_DS= 0.5

V_DSS, I_D= 30A

Q_gd

Ref: IXYS CO 0077 R0

R_thJC

R_thCS

1.0 °C/W

°C/W

0.15

Source-Drain Diode

Characteristic Values

T_J= 25°C unless otherwise specified)

Symbol

I_S

Test Conditions³

V_GS= 0V

Min. Typ.

Max.

I_SM

Repetitive, pulse width limited by T_JM

I_F= 60A, V_GS= 0V, Note 1

150

1.5

V_SD

t_rr

I_RM

15.3

I_F= 25A, -di/dt = 100A/μs

V_R= 100V, V_GS= 0V

Q_RM

0.63

μC

Note 1: Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2 %.

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are

derived from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience,

and constitute a "considered reflection" of the anticipated objective result. IXYS reserves the right

to change limits, test conditions, and dimensions without notice.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463 6,771,478 B2 7,071,537

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

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与FMM60-02TF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FMM65-015P	IXYS	Trench Power MOSFET	获取价格
FMM6G20US60	FAIRCHILD	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN	获取价格
FMM6G20US60S	FAIRCHILD	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN	获取价格
FMM6G30US60	FAIRCHILD	Compact & Complex Module	获取价格
FMM6G50US60	FAIRCHILD	Compact & Complex Module	获取价格
FMM6N0103J02L	KYOCERA AVX	DC Filtering MPF Capacitor	获取价格

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