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| 生命周期： | Active | 包装说明： | 24PM-AA, 24 PIN |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-T24 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 24 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 360 ns | 标称接通时间 (ton)： | 145 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMM7G20US60N | ROCHESTER |
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20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G20US60N | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G20US60SI | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G20US60SN | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G30US60N | FAIRCHILD |
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Compact & Complex Module |
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| FMM7G30US60SI | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G30US60SN | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G50US60I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G50US60I | ROCHESTER |
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50A, 600V, N-CHANNEL IGBT, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMMBD4448HADW | CJ |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAYS |
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