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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 24PM-AA, 24 PIN | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X24 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 360 ns | 标称接通时间 (ton)： | 145 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FMM7G20US60SI | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G20US60SN | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G30US60N | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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| FMM7G30US60SI | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G30US60SN | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM7G50US60I | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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