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FMM7G20US60N PDF预览

FMM7G20US60N

更新时间： 2024-02-29 02:16:41
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 局域网电动机控制瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1659K
描述
20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, 24PM-AA, 24 PIN

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FMM7G20US60N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：24PM-AA, 24 PIN针数：24
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X24元件数量：7
端子数量：24最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：360 ns标称接通时间 (ton)：145 ns
VCEsat-Max：2.7 VBase Number Matches：1

FMM7G20US60N 数据手册

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Electrical Characteristics of DIODE @ Inverter & Brake T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
--  
Typ.  
1.9  
2.0  
75  
Max.  
2.8  
--  
Units  
T
T
T
T
T
T
T
T
=
25°C  
C
C
C
C
C
C
C
C
V
Diode Forward Voltage  
I
= 20A  
F
V
FM  
= 100°C  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
=
25°C  
= 100°C  
25°C  
= 100°C  
25°C  
= 100°C  
150  
--  
2.6  
--  
195  
--  
t
I
Diode Reverse Recovery Time  
ns  
A
rr  
110  
1.3  
1.8  
50  
=
Diode Peak Reverse Recovery  
Current  
I = 20A  
F
rr  
di / dt = 40 A/us  
=
Q
Diode Reverse Recovery Charge  
nC  
rr  
100  
Electrical Characteristics of DIODE @ Converter T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
--  
Typ.  
1.1  
1.0  
--  
Max.  
1.5  
--  
8
--  
Units  
T
T
T
T
=
25°C  
C
C
C
C
V
Diode Forward Voltage  
I
= 20A  
F
V
FM  
= 100°C  
=
= 100°C  
--  
--  
--  
25°C  
I
Repetitive Reverse Current  
V
= V  
RRM  
mA  
RRM  
R
5
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
--  
Max.  
1.4  
2.3  
1.4  
2.3  
1.5  
--  
Units  
R
R
R
R
R
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/6 Module)  
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)  
Junction-to-Case (IGBT Part)  
Junction-to-Case (DIODE Part)  
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)  
Weight of Module  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
g
θJC  
θJC  
θJC  
θJC  
θJC  
Inverter  
--  
--  
Brake  
--  
Converter  
Weight  
--  
210  
NTC Thermistor Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Tol.  
Typ.  
5.0  
0.415  
3692  
Units  
KΩ  
KΩ  
R
Rated Resistance @ Tc = 25°C  
Rated Resistance @ Tc = 100 °C  
B - Value  
+/- 5 %  
+/- 5 %  
+/- 3 %  
25  
Thermistor  
R
100  
B
(25/100)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FMM7G20US60N Rev. A  
1234567...10

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FMM7G20US60SI FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

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