5秒后页面跳转
FMM7G20US60N PDF预览

FMM7G20US60N

更新时间: 2024-02-29 07:40:24
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 局域网电动机控制瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1659K
描述
20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, 24PM-AA, 24 PIN

FMM7G20US60N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:24PM-AA, 24 PIN针数:24
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.68
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEX门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X24元件数量:7
端子数量:24最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):89 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):360 ns标称接通时间 (ton):145 ns
VCEsat-Max:2.7 VBase Number Matches:1

FMM7G20US60N 数据手册

 浏览型号FMM7G20US60N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FMM7G20US60N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FMM7G20US60N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FMM7G20US60N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FMM7G20US60N的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FMM7G20US60N的Datasheet PDF文件第10页 
15  
12  
80  
10  
Common Emitter  
V
= 100 V  
RL = 15  
300 V  
CC  
TC = 25 o  
C
200 V  
1
Single Nonrepetitive  
125  
Pulse TJ  
VGE  
= 15V  
RG = 10  
0
3
10  
0.1  
0
20  
30  
40  
50  
60  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
6
9
Gat e Char ge, Q [nC]  
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]  
g
Fig 14. RBSOA Characteristics  
Fig 13. Gate Charge Characteristics  
40  
20  
10  
Common Cathode  
VGE = 0V  
35  
= 25  
TC  
T
Trr  
C = 125  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Irr  
1
Common Cathode  
di/dt = 40A/us  
TC  
= 25  
TC = 100  
15  
Forward Current, IF [A]  
--------  
0
0.1  
0
1
2
3
4
3
6
9
12  
18  
21  
Forward Voltage, VF [V]  
Fig 15. Forward Characteristics  
Fig 16. Reverse Recovery Characteristics  
1000  
100  
10  
100  
o
T
= 125  
C
o
o
= 125 C  
25  
C
T
10  
C
0. 1  
0. 01  
1
1
o
25  
C
1E-3  
0. 1  
0
400  
800  
1200  
1600  
0. 4  
0. 6  
0. 8  
1. 0  
1. 2  
1. 4  
Reverse Volt age, V [V]  
For war d Volt age, V [V]  
R
Fig 17. Rectifier( Converter ) Characteristics  
Fig 18. Rectifier( Converter ) Characteristics  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FMM7G20US60N Rev. A  

与FMM7G20US60N相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FMM7G20US60SI FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格

FMM7G20US60SN FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格

FMM7G30US60N FAIRCHILD Compact & Complex Module

获取价格

FMM7G30US60SI FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格

FMM7G30US60SN FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格

FMM7G50US60I FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN

获取价格