FMMD2838TA

更新时间： 2024-01-08 10:22:12

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Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon

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FMMD2838TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.19
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	0.1 µA
最大反向恢复时间：	0.006 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

FMMD2838TA 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED

FMMD2838

SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR

ISSUE 2 NOVEMBER 1996

DIODE PIN CONNECTION

PARTMARKING DETAIL ZA6

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)

VALUE

UNIT

Breakdown Voltage Voltage (I_R=100µA)

Average Rectified Forward Current ✝

Repetitive Peak Forward Surge Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_F(AV)

100

°C

I_FRM

200

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Forward Voltage

V_F

1.0

1.2

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=100mA

Reverse Current

Recovery Time*

I_R

100

V_R=30V

t_rr

I_F= I_R=10mA, I_R(REC)

=1.0mA

Diode Capacitance

C_d

V_R=0, f=1MHz

*For switching test circuit diagram see page

✝Over any 20ms period

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