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FJY4011R

更新时间： 2024-11-24 03:12:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 285K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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FJY4011R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.53其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-F3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

FJY4011R 数据手册

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November 2006  
FJY4011R  
tm  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R=22KΩ)  
Complement to FJY3011R  
Eqivalent Circuit  
C
C
S61  
E
B
E
B
SOT - 523F  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
-40  
-40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-5  
V
I
Collector Current  
-100  
-55~150  
150  
mA  
°C  
C
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
°C  
P
Collector Power Dissipation, by RθJA  
200  
mW  
C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
600  
°C/W  
* Minimum land pad size.  
Electrical Characteristics*  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
ICBO  
Parameter  
Test Condition  
MIN  
Typ MAX  
Units  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Cutoff Current  
IC = -100 uA, IE = 0  
-40  
-40  
V
V
IC = -1mA, IB = 0  
VCB = -30 V, IE = 0  
-0.1  
uA  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = -5 V, IC = -1 mA  
IC = -10 mA, IB = -1 mA  
VCE = -10V, IC =- 5 mA  
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
100  
15  
600  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain - Bandwidth Product  
Output Capacitance  
-0.3  
V
200  
5.5  
MHz  
pF  
Ccb  
R
Input Resistor  
22  
29  
KΩ  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJY4011R Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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