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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJYF2906TF
FJYF2906TF PDF预览

FJYF2906TF

更新时间： 2024-10-02 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SOT-563F, 6 PIN

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FJYF2906TF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FJYF2906TF 数据手册

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FJYF2906  
C1  
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier  
E1  
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= 40V  
CEO  
C2  
Amplifier and Switching Application  
E2 is on pin 1  
B1  
B2  
E2  
(Pin1)  
SOT-563F  
Mark: S1  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
40  
5
150  
Units  
V
V
V
mA  
°C  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
I
- Continuous  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 1MA, I = 0  
40  
40  
5
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
E
B
= 10µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
C
I
V
= 30V, V = 3V  
50  
NA  
CEX  
CE  
BE  
On Characteristics  
h
DC Current Gain *  
V
V
V
V
V
= 1V, I = 0.1MA  
60  
80  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 1mA  
C
= 1V, I = 10mA  
100  
60  
300  
C
= 1V, I = 50mA  
C
= 1V, I = 100mA  
30  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
= 10mA, I = 1mA  
0.3  
0.5  
0.95  
1
V
V
V
V
CE  
C
C
B
I
= 50mA, I = 5mA  
B
I
I
= 10mA, I = 1mA  
0.65  
250  
BE  
C
C
B
= 50mA, I = 5mA  
B
Small Signal Characteristics  
f
Current gain Bandwidth Product  
V
= 20V, I = 10mA  
MHz  
T
CE  
C
f = 100MHz  
C
C
Output Capacitance  
Input Capacitance  
V
V
= 5V, I = 0, f = 1MHz  
4.5  
10  
pF  
pF  
obo  
ibo  
CB  
EB  
E
= 0.5V, I = 0, f = 1MHz  
C
* Pulse Test: Pulse Width  
≤
300ms, Duty Cycle  
≤
2.0%  
NOTE: All voltage (V) and currents (A) are negative for PNP transistors.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, September 2002  
12345

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与FJYF2906TF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJYF2906TF_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SOT-56
FJZ594J FAIRCHILD

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 		Si N-channel Junction FET
FJZ594JB FAIRCHILD

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 		Si N-channel Junction FET
FJZ594JBTF FAIRCHILD

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 		Transistor
FJZ594JC FAIRCHILD

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 		Si N-channel Junction FET
FJZ594JCTF FAIRCHILD

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 		Transistor
FJZ594JTF FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.001A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
FJZ733 FAIRCHILD

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 		Low Frequency Amplifier
FJZ733G FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-62
FJZ733L FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-62

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