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FJZ945GTF

更新时间： 2024-01-30 03:22:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 165K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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FJZ945GTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

FJZ945GTF 数据手册

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FJZ945  
Audio Frequency Amplifier & High  
3
Frequency OSC.  
•
•
•
Complement to FJZ733  
Collector-Base Voltage : V  
High Current Gain Bandwidth Product : f =300MHz (Typ.)  
=60V  
CBO  
2
T
1
SOT-623F  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
100  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
60  
50  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.1  
700  
0.3  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1.0mA  
70  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =100mA, I =10mA  
0.15  
300  
2.5  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
V
=6V, I =10mA  
C
T
CE  
CB  
CE  
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I =0.5mA  
4.0  
dB  
C
f=1KHz, R =500Ω  
S
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1250  
°C/W  
θJA  
h
Classification & Marking  
FE  
Classification  
O
70 ~ 140  
C3  
Y
120 ~ 240  
C1  
G
L
h
200 ~ 400  
C4  
350 ~ 700  
C5  
FE  
Marking  
Marking  
C1  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. C1, April 2004  
12345

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FJZ945GTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSC2785GBU FAIRCHILD

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 		暂无描述
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FK 1.2V DIODES

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 		1.2V, 3.2x2.5mm, CMOS Crystal Oscillator
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