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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJZ945
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FJZ945

更新时间： 2024-11-26 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 振荡器音频放大器
页数 文件大小 规格书
5页 218K
描述
Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC.

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FJZ945 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

FJZ945 数据手册

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FJZ945  
Audio Frequency Amplifier & High  
3
Frequency OSC.  
•
•
•
Complement to FJZ733  
Collector-Base Voltage : V  
=60V  
CBO  
2
High Current Gain Bandwidth Product : f =300MHz (Typ.)  
T
1
SOT-623F  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
50  
5
150  
100  
150  
-55 ~ 150  
Units  
V
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
J
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
I =100µA, I =0  
Min.  
60  
50  
5
Typ.  
Max.  
Units  
V
V
V
µA  
µA  
BV  
BV  
BV  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
E
C
I
I
h
V
V
V
=40V, I =0  
0.1  
0.1  
700  
0.3  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
=3V, I =0  
C
DC Current Gain  
=6V, I =1.0mA  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =100mA, I =10mA  
0.15  
300  
2.5  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
V
V
V
=6V, I =10mA  
=6V, I =0, f=1MHz  
E
T
CE  
CB  
CE  
C
C
NF  
ob  
Noise Figure  
=6V, I =0.5mA  
4.0  
dB  
C
f=1KHz, R =500Ω  
S
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Max.  
1250  
Units  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
θJA  
h
Classification & Marking  
FE  
Classification  
R
40 ~ 80  
C2  
O
70 ~ 140  
C3  
Y
120 ~ 240  
C1  
G
L
h
200 ~ 400  
C4  
350 ~ 700  
C5  
FE  
Marking  
Marking  
C1  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, July 2003  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJZ945GTF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-62
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FK 1.2V DIODES

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