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FJZ733G

更新时间： 2024-11-27 19:41:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 204K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-623F, 3 PIN

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FJZ733G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.91最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

FJZ733G 数据手册

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FJZ733  
Low Frequency Amplifier  
3
•
•
Collector-Base Voltage : V  
Complement to FJZ945  
= -60V  
CBO  
2
1
SOT-623F  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-60  
-50  
-5  
-150  
100  
Units  
V
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
-55 ~ 150  
J
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
-60  
-50  
- 5  
Typ.  
Max.  
Units  
V
V
V
nA  
nA  
BV  
BV  
BV  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
I = -10mA. I =0  
C
E
B
I
= -10µA. I =0  
C
I
I
h
V
V
V
= --60V, I =0  
-100  
-100  
700  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
= -5V, I =0  
C
DC Current Gain  
= -6V, I = -1mA  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -100mA, I = -10mA  
-0.18  
-0.62  
180  
2.8  
-0.3  
-0.80  
V
V
MHz  
pF  
CE  
BE  
C
B
V
= -6V, I = -1mA  
-0.50  
50  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
f
V
V
V
= -6V, I = -10mA  
T
C
C
NF  
= -10V, I = 0, f=1MHz  
ob  
E
Noise Figure  
= -6V, I = -0.3mA  
6.0  
dB  
C
f=1MHz, Rs=10kΩ  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Max.  
1250  
Units  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
θJA  
h
Classification & Marking  
FE  
Classification  
R
40 ~ 80  
A2  
O
70 ~ 140  
A3  
Y
120 ~ 240  
A1  
G
L
h
200 ~ 400  
A4  
350 ~ 700  
A5  
FE  
Marking  
Marking  
A1  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, July 2003  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJZ733L FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-62
FJZ733LTF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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 		暂无描述
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-62
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 		Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC.
FJZ945GTF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-62
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