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FJN4301RBU

更新时间： 2024-09-20 21:16:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 158K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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FJN4301RBU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.4
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

FJN4301RBU 数据手册

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November 2013  
FJN4301R  
PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor  
Features  
Description  
• 100 mA Output Current Capability  
• Built-in Bias Resistor (R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ)  
Transistors with built-in resistors can be excellent  
space- and cost-saving solutions by reducing compo-  
nent count and simplifying circuit design.  
Applications  
• Switching, Interface, and Driver Circuits  
• Inverters  
• Digital Applications in Industrial Segments  
Equivalent Circuit  
C
R1  
B
R2  
TO-92  
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
E
Ordering Information  
Part Number  
Top Mark  
Package  
Packing Method  
FJN4301RTA  
R4301  
TO-92 3L  
Ammo  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-  
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-  
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The  
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
-50  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-50  
V
-10  
V
-100  
mA  
°C  
°C  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
TSTG  
-55 to 150  
© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJN4301R Rev. 1.1.2  
www.fairchildsemi.com  
1
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