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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJN4306RTA
FJN4306RTA PDF预览

FJN4306RTA

更新时间： 2024-09-20 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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FJN4306RTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

FJN4306RTA 数据手册

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FJN4306R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R =10KΩ, R =47KΩ)  
1
2
Complement to FJN3306R  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Equivalent Circuit  
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Value  
Units  
C
V
-50  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
-50  
V
R1  
-10  
V
B
I
-100  
300  
mA  
mW  
°C  
C
R2  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
E
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
-50  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -10µA, I =0  
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -100µA, I =0  
V
C
B
I
V
= -40V, I =0  
-0.1  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -5mA  
68  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
CE  
C
B
C
V
= -10V, I =0  
5.5  
pF  
ob  
CB  
E
f=1.0MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Off Voltage  
V
V
V
= -10V, I = -5mA  
200  
MHz  
V
T
CE  
CE  
CE  
C
V (off)  
= -5V, I = -100µA  
-0.3  
I
C
V (on)  
Input On Voltage  
= -0.3V, I = -1mA  
-1.4  
13  
V
I
C
R
Input Resistor  
7
10  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.19  
0.21  
0.24  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2002  
1234

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