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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJN4310RBU
FJN4310RBU PDF预览

FJN4310RBU

更新时间： 2024-11-08 13:02:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 34K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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FJN4310RBU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.38Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

FJN4310RBU 数据手册

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FJN4310R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R=10KΩ)  
Complement to FJN3310R  
TO-92  
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Value  
Units  
V
-40  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
-40  
V
R
-5  
V
B
I
-100  
300  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
E
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-40  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -1mA, I =0  
-40  
V
E
B
I
V
= -30V, I =0  
-0.1  
600  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -1mA  
100  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -1mA  
V
CE  
C
B
C
V
= -10V, I =0  
5.5  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Resistor  
V
= -10V, I = -5mA  
200  
10  
MHz  
T
CE  
C
R
7
13  
KΩ  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2002  
1234

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FJN4310RBU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FJN4310RTA FAIRCHILD

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与FJN4310RBU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJN4310RTA ROCHESTER

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 		100mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
FJN4310RTA FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
FJN4311R FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJN4311RTA FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
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