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FJN4302RBU

更新时间： 2024-11-08 20:06:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	158K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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FJN4302RBU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.54	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

FJN4302RBU 数据手册

November 2013

FJN4302R

PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor

Features

Description

• 100 mA Output Current Capability

• Built-in Bias Resistor (R₁= 10 kΩ, R₂= 10 kΩ)

Transistors with built-in resistors can be excellent

space- and cost-saving solutions by reducing compo-

nent count and simplifying circuit design.

Application

• Switching, Interface, and Driver Circuits

• Inverters

• Digital Applications in Industrial Segments

Equivalent Circuit

TO-92

1. Emitter 2. Collector 3. Base

Ordering Information

Part Number

Top Mark

Package

Packing Method

FJN4302RTA

R4302

TO-92 3L

Ammo

Absolute Maximum Ratings

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-

ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-

tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The

absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T_A= 25°C unless otherwise noted.

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-50

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-50

-10

-100

°C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_STG

-55 to 150

FJN4302R Rev. 1.1.2

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

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FJN4302RBU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FJN4302RTA	ONSEMI	功能相似	PNP 外延硅晶体管，带偏置电阻
FJN4302RTA_NL	FAIRCHILD	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与FJN4302RBU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FJN4302RTA	ROCHESTER	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
FJN4302RTA	ONSEMI	获取价格	PNP 外延硅晶体管，带偏置电阻
FJN4302RTA_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
FJN4303R	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJN4303RTA	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPAC
FJN4303RTA	ONSEMI	获取价格	带偏置电阻的 PNP 外延硅晶体管
FJN4304R	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJN4304RBU	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
FJN4305R	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJN4305RBU	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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