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FJN3314RBU PDF预览

FJN3314RBU

更新时间： 2024-11-08 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 30K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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FJN3314RBU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.39其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

FJN3314RBU 数据手册

 浏览型号FJN3314RBU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FJN3314RBU的Datasheet PDF文件第3页 
FJN3314R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R =4.7KΩ, R =47KΩ)  
1
2
Complement to FJN4314R  
TO-92  
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Value  
Units  
V
50  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
50  
V
R1  
B
10  
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
R2  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
300  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
E
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =100µA, I =0  
50  
V
C
B
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =5mA  
68  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
=10V, I =5mA  
250  
3.7  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
=5V, I =100µA  
0.5  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
=0.2V, I =5mA  
1.3  
6.2  
I
C
R
3.2  
4.7  
0.1  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.09  
0.11  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2002  
123

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FJN3314RBU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FJN3314RBU FAIRCHILD

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