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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FJC1386RTF_NL | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| FJC1963 | FAIRCHILD | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| FJC1963_05 | FAIRCHILD | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| FJC1963Q | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| FJC1963QTF | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| FJC1963R | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 |
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