FJA4310RTU

更新时间： 2024-11-21 13:07:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	55K
描述
Transistor,

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FJA4310RTU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

FJA4310RTU 数据手册

FJA4310

Audio Power Amplifier

•

High Current Capability : I =10A

High Power Dissipation

Wide S.O.A

Complement to FJA4210

TO-3P

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

200

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Base Current (DC)

CBO

140

CEO

EBO

1.5

Collector Dissipation (T =25°C)

100

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

I =5mA, I =0

200

140

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage I =50mA, R =∞

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

I =5mA, I =0

=200V, I =0

µA

CBO

EBO

=6V, I =0

* DC Current Gain

=4V, I =3A

180

0.5

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

I =5A, I =0.5A

=10V, f=1MHz

250

Current Gain Bandwidth Product

=5V, I =1A

MHz

* Pulse Test : PW=20µs

Classification

50 ~ 100

70 ~ 140

90 ~ 180

Rev. B, June 2002

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