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FJA4313

更新时间： 2024-11-20 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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5页 85K
描述
Audio Power Amplifier

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FJA4313 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：230 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

FJA4313 数据手册

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FJA4313  
Audio Power Amplifier  
•
•
•
•
High Current Capability : I =15A  
High Power Dissipation  
Wide S.O.A  
C
Complement to FJA4213  
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
230  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Base Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
230  
5
V
I
I
15  
A
C
1.5  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
130  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 50 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =5mA, I =0  
230  
230  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I =10mA, R =∞  
V
C
BE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I =5mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=230V, I =0  
5.0  
5.0  
uA  
uA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
V
V
V
=5V, I =0  
C
h
h
* DC Current Gain  
=5V, I =1A  
55  
35  
160  
FE1  
FE2  
C
DC Current Gain  
=5V, I =7A  
60  
0.4  
1.0  
30  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =8A, I =0.8A  
3.0  
1.5  
V
V
CE  
C
B
V
=5V, I =7A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
=5V, I =1A  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, f=1MHz  
200  
ob  
* Pulse Test : PW=20us  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
h
55 ~ 110  
80 ~ 160  
FE1  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2003  
12345

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