是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-3PN |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.7 |
最大集电极电流 (IC): | 60 A | 集电极-发射极最大电压: | 650 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值: | 6 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 125 ns | 标称接通时间 (ton): | 41 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FGA30S120P | FAIRCHILD |
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Shorted AnodeTM IGBT | |
FGA30S120P | ONSEMI |
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1300V, 30A,短路阳极 IGBT | |
FGA30T65SHD | ONSEMI |
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IGBT,650 V,30A,场截止沟槽 | |
FGA4000 | ETC |
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Gate Array | |
FGA4060ADF | ONSEMI |
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IGBT,600 V,40 A 场截止沟槽 | |
FGA40N60UFD | FAIRCHILD |
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Ultrafast IGBT | |
FGA40N60UFDTU_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FGA40N65SMD | FAIRCHILD |
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New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications | |
FGA40N65SMD | ONSEMI |
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IGBT,650V,40A,场截止 | |
FGA40N65SMMF | MICROSS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |