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FF2483J

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14

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FF2483J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.49	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	14	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	175 MHz	VCEsat-Max：	0.35 V
Base Number Matches：	1

FF2483J 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FF2484E	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FF2484J	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FF25R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 25A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF25R06KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 25A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF25R10K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 25A I(C) \| MODULE-S
FF25R10KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 25A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF25R10KN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 25A I(C) \| M:HL080HD5.3
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