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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.49 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 175 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF2483J | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF2484E | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF2484E | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FF2484J | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF25R06KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF25R06KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF25R10K | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S |
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| FF25R10KF2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
|
| FF25R10KN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
|
| FF25R12KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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