是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-523F |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.31 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.83 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.83 A |
最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 30 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.625 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDY2000PZ | ONSEMI |
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双 P 沟道,指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-0.35A,1.2 | |
FDY2000PZ | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrenchR MOSFET | |
FDY2001PZ | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY3000NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY3000NZ | ONSEMI |
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双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,0.6A,7 | |
FDY3000NZ_07 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY3001NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY300NZ | FAIRCHILD |
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Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY300NZ | ONSEMI |
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N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench® MOSFET,20V,0.6A,0.7 | |
FDY300NZ_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |