是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.15 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.15 A |
最大漏源导通电阻: | 8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.625 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDY2000PZ | FAIRCHILD |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDY3000NZ | FAIRCHILD |
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FDY3000NZ | ONSEMI |
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FDY3000NZ_07 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY3001NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY300NZ | FAIRCHILD |
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Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY300NZ | ONSEMI |
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N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench® MOSFET,20V,0.6A,0.7 | |
FDY300NZ_07 | FAIRCHILD |
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Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY300NZ-G | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
FDY301NZ | FAIRCHILD |
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Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDY301NZ | ONSEMI |
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N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.2A,5Ω |