5秒后页面跳转
FDY2001PZ PDF预览

FDY2001PZ

更新时间: 2024-11-23 10:32:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET

FDY2001PZ 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.35Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.15 A最大漏极电流 (ID):0.15 A
最大漏源导通电阻:8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6元件数量:2
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FDY2001PZ 数据手册

 浏览型号FDY2001PZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDY2001PZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDY2001PZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDY2001PZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDY2001PZ的Datasheet PDF文件第6页 
January 2006  
FDY2001PZ  
Dual P-Channel (– 2.5V) Specified PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This Dual P-Channel MOSFET has been designed  
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power  
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = – 2.5v.  
– 150 mA, – 20 V RDS(ON) = 8 @ VGS = – 4.5 V  
RDS(ON) = 12@ VGS = – 2.5 V  
Applications  
ESD protection diode (note 3)  
RoHS Compliant  
Li-Ion Battery Pack  
6
5
4
D1  
6
S1  
G1  
D2  
1
5
4
G2  
S2  
2
3
1
2
3
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
– 20  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
± 8  
– 150  
ID  
(Note 1a) 1  
mA  
– 1000  
625  
PD  
Power Dissipation (Steady State)  
(Note 1a) 1  
(Note 1b) 1  
mW  
446  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 1  
200  
280  
RθJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1b) 1  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
B
FDY2001PZ  
7 ’’  
8 mm  
3000units  
www.fairchildsemi.com  
2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDY2001PZ Rev A  

FDY2001PZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDY2000PZ FAIRCHILD

类似代替

Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrenchR MOSFET
NTUD3129PT5G ONSEMI

功能相似

Small Signal MOSFET -20 V, -180 mA, Dual P-Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT-963 Package
NTUD3171PZT5G ONSEMI

功能相似

Small Signal MOSFET −20 V, −200 mA, Dual P−Channel, 1.0 x 1.0 mm SOTW

与FDY2001PZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDY3000NZ FAIRCHILD

获取价格

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY3000NZ ONSEMI

获取价格

双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,0.6A,7
FDY3000NZ_07 FAIRCHILD

获取价格

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY3001NZ FAIRCHILD

获取价格

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY300NZ FAIRCHILD

获取价格

Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY300NZ ONSEMI

获取价格

N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench® MOSFET,20V,0.6A,0.7
FDY300NZ_07 FAIRCHILD

获取价格

Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY300NZ-G FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDY301NZ FAIRCHILD

获取价格

Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDY301NZ ONSEMI

获取价格

N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.2A,5Ω