是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.36 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 70 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 25 V |
最大漏极电流 (ID): | 35 A | 最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 321 A |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FDD8796 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO |
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FDD8796 | ONSEMI | N 沟道,PowerTrench® MOSFET,25V,35A,5.7mΩ |
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FDD8796 | UMW | 种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):25V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |
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FDD8870 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDD8870 | ONSEMI | N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,160A,3.9mΩ |
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FDD8870 | UMW | 种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |
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