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FDD8782

更新时间： 2024-01-13 00:21:26
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 547K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，11mΩ

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FDD8782 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：70 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：321 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8782 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
7
6
5
4
3
2
1
0
PULSE DURATION = 80  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
μs  
VGS = 10V  
VGS = 4.5V  
PULSE DURATION = 80μs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
VGS = 3V  
VGS = 3.5V  
VGS = 3.5V  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
VGS = 3V  
0
1
2
3
4
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
ID, DRAIN CURRENT(A)  
Figure 1. On Region Characteristics  
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain  
Current and Gate Voltage  
1.8  
40  
ID = 35A  
PULSE DURATION = 80μs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
ID = 15A  
VGS = 10V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
30  
20  
10  
0
TJ= 175oC  
TJ = 25oC  
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
)
200  
2
4
6
8
10  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE  
(
oC  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction  
Temperature  
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source  
Voltage  
70  
100  
VGS = 0V  
PULSE DURATION = 80  
μs  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
10  
TJ = 175oC  
1
TJ = 175oC  
TJ = 25oC  
0.1  
TJ = 25oC  
TJ = -55oC  
TJ = -55oC  
0.01  
1E-3  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure 6. Source to Drain Diode Forward  
Voltage vs Source Current  
FDD8782/FDU8782 Rev. 1.2  
3
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD8796 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO
FDD8796 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，5.7mΩ
FDD8796 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8870 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8870 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ
FDD8870 UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8870_08 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD8870_F085_13 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 160A, 3.9
FDD8870_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDD8870-F085 ONSEMI

获取价格

 		30 V、160 A、3.2 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench®

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