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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 70 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 321 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD8796 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO |
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| FDD8796 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，5.7mΩ |
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| FDD8796 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDD8870 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD8870 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ |
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| FDD8870 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDD8870_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDD8870_F085_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 160A, 3.9 |
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| FDD8870_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD8870-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
30 V、160 A、3.2 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench® |
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