FDC3512_NL

更新时间： 2024-01-19 12:48:10

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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5页	134K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC3512_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC3512_NL 数据手册

Typical Characteristics

1.8

1.6

1.4

1.2

V_GS= 10V

5.0V

6.0V

4.5V

V_GS= 4.0V

4.5V

4.0V

5.0V

6.0V

10V

0.8

I_D, DRAIN CURRENT (A)

175

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 1. On-Region Characteristics.

Figure 2. On-Resistance Variation with

Drain Current and Gate Voltage.

0.18

0.14

0.1

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

I_D= 1.5 A

I_D= 3.0A

V_GS=10V

T_A= 125^oC

T_A= 25^oC

0.06

0.02

0.7

0.4

-50

-25

100

125

150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. On-Resistance Variation with

Temperature.

Figure 4. On-Resistance Variation with

Gate-to-Source Voltage.

100

V_GS= 0V

V_DS= 5V

T_A= 125^oC

25^oC

0.1

-55^oC

T_A= 125^oC

0.01

0.001

25^oC

-55^oC

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

V_SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics.

Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature.

FDC3512 Rev B2(W)

1 234 5

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