是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.72 | 雪崩能效等级(Eas): | 193 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 240 A |
最大漏极电流 (ID): | 240 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0024 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-299A |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 68 ns | 最大开启时间(吨): | 86 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDBL9401-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,300A,0.5mΩ | |
FDBL9401-F085T6 | ONSEMI |
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Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 0.67 mΩ | |
FDBL9401L-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40 V,300 A,0.55 | |
FDBL9403-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,240 A,0.9 mΩ | |
FDBL9403-F085T6 | ONSEMI |
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Power MOSFET, Single N-Channel, TOLL, 40 V, 0 | |
FDBL9403L-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40 V,240 A,0.72 | |
FDBL9406-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET,40 V,240 A,1.2 mΩ | |
FDBL9406-F085T6 | ONSEMI |
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Power MOSFET, Single N-Channel, TOLL, 40 V, 1 | |
FDBL9406L-F085 | ONSEMI |
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汽车级 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,40 V,240 A,1.1 mΩ | |
FDBP1C1 | ETC |
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Distinctive features and specifications |