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ES1E-T3-LF

更新时间： 2024-02-06 11:38:20

品牌	Logo	应用领域
WTE		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	52K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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ES1E-T3-LF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.01
其他特性：	LOW POWER LOSS	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

ES1E-T3-LF 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

ES1A – ES1J

1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SUPERFAST DIODE

Features

Glass Passivated Die Construction

Ideally Suited for Automatic Assembly

Low Forward Voltage Drop, High Efficiency

Surge Overload Rating to 30A Peak

Low Power Loss

Super-Fast Recovery Time

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-O

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ E

SMA/DO-214AC

Mechanical Data

Dim

Min

2.50

4.00

1.20

0.152

4.80

2.00

0.051

0.76

Max

2.90

4.60

1.60

0.305

5.28

2.44

0.203

1.52

Case: SMA/DO-214AC, Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: Type Number

Weight: 0.064 grams (approx.)

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

150

105

200

300

210

400

280

600

420

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

140

1.0

Average Rectified Output Current

@T_L= 120°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

0.95

1.25

1.7

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

5.0

500

µA

Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

t^rr

C^j

R^ꢀ^JL

T^j,T^STG

°C/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-65 to +150

Note: 1. Measured with I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, I_rr= 0.25A. See figure 5.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.

3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm²land area.

ES1A – ES1J

1 of 4

12 3 4

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与ES1E-T3-LF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ES1EW	PANJIT	SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER	获取价格
ES1E-W	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN	获取价格
ES1EWF-HF	COMCHIP	Rectifier Diode,	获取价格
ES1EWG	PANJIT	SMA(W)	获取价格
ES1F	TSC	1.0 AMP. Super Fast Surface Mount Rectifiers	获取价格
ES1F	BL Galaxy Electrical	FAST RECOVERY RECTIFIER	获取价格

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