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ES1F

更新时间： 2023-09-03 20:28:27
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安森美 - ONSEMI IOT光电二极管
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4页 163K
描述
1.0A，UltraFast 恢复整流器

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ES1F 数据手册

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Fast Rectifiers  
ES1F-ES1J  
Features  
• For Surface Mount Applications  
• Glass Passivated Junction  
• Low Profile Package  
www.onsemi.com  
• Easy Pick and Place  
• Built-in Strain Relief  
• Superfast Recovery Times for High Efficiency  
1
2
CATHODE  
ANODE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Value  
SMA (DO−214AC)  
Color Band Denotes Cathode  
CASE 403AE  
ES1F ES1G ES1H ES1J  
300 400 500 600  
Symbol  
Parameter  
Unit  
V
RRM  
Maximum Repetitive  
Reverse Voltage  
V
ORDERING INFORMATION  
I
Average Rectified  
Forward Current  
1.0  
30  
A
A
F(AV)  
†
Device  
Package  
Shipping  
I
Non-repetitive Peak  
Forward Surge Current  
8.3 ms Single  
Half-Sine-Wave  
(JEDEC method)  
FSM  
ES1F  
ES1G  
ES1H  
ES1J  
SMA  
(Pb−Free)  
7500 /  
Tape & Reel  
SMA  
(Pb−Free)  
7500 /  
Tape & Reel  
T
J
Operating Junction  
Temperature Range  
−55 to 150  
−55 to 150  
1.47  
°C  
°C  
W
SMA  
(Pb−Free)  
7500 /  
Tape & Reel  
T
STG  
Storage Temperature  
Range  
SMA  
7500 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
P
D
Power Dissipation  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Characteristics  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction−to−Case (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction−to−Lead (Note 1)  
Value  
85  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
θ
JA  
JC  
R
61  
θ
R
35  
θ
JL  
1. P. C. B mounted on 0.2″ × 0.2″ (5 × 5 mm) copper Pad Area.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
C
Value  
ES1F  
ES1G  
ES1H  
ES1J  
Symbol  
Characteristics  
Unit  
V
V
F
Maximum Forward Voltage @ I = 1.0 A  
1.3  
1.7  
F
T
rr  
Maximum Reverse Recovery Time,  
35  
ns  
I = 0.5 A, I = 1.0 A, I = 0.25 A  
F
R
RR  
I
Maximum Reverse Current @ rated V  
mA  
R
R
T = 25_C  
5.0  
100  
A
T = 100_C  
A
C
Typical Junction Capacitance, V = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
10.0  
8.0  
pF  
j
R
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
August, 2020 − Rev. 2  
ES1J/D  
 
1234

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