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ES1FV1

更新时间： 2024-11-28 21:02:55

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	277K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon

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ES1FV1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.55
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	1.5 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

ES1FV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

ES1F

1. Scope

The present specifications shall apply to Sanken silicon diode, ES1F.

2. Outline

Type

Silicon Rectifier Diode (Mesa type)

Structure

Applications

Resin Molded

Flammability: UL94V-0 (Equivalent)

Pulse Rectification, etc

3. Absolute maximum ratings

Item

Symbol

V_RSM

V_RM

I_{F (AV)}

I_FSM

Unit

Rating

1500

Conditions

No.

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

1500

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

Junction Temperature

0.5

Refer to Derating of 6

10msec.

Sinewave, one shot

T_j

°C

-40~+150

Storage Temperature

T_stg

4. Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

Item

Symbol

V_F

Unit

Value

Conditions

No.

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

2.0 max.

10 max.

I_F=0.5A

V_R=V_RM

I_R

µA

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µA

200 max.

V_R=V_RM, Ta=100°C

H･I_R

@ IF=IRP=10mA

90% Recovery point

µs

1.5 max.

0.6 max.

17 max.

ｔrr1

ｔrr2

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

@ IF=10mA, IRP=20mA,

75% Recovery point

Between Junction and Lead

θ(j-l) °C/W

070202

1／3

61426-01

12 3

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